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元件参数资料
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参数目录39930
> SI5935DC-T1-E3 MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8
型号:
SI5935DC-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI5935DC-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DC-T1-E3 Series 1206-8
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
86 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
1206-8 ChipFET?
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI5935DC-T1-E3TR
查看SI5935DC-T1-E3代理商
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